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三維有序大孔硅或鍺薄膜的制備方法

993   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-18 23:37:28
三維有序大孔硅或鍺薄膜的制備方法,涉及一種大孔薄膜的制備方法。是要解決現(xiàn)有的制備三維有序大孔硅或者鍺薄膜的方法所用設(shè)備復(fù)雜,成本高,所用原料有毒的問題。方法:一、將銅箔用鹽酸浸泡,無水乙醇擦拭,將銅箔固定在玻璃基片上,處理;二、使用三電極的電解池,用恒電勢法進(jìn)行電沉積硅或鍺;三、取出電解池中的電解液,干燥,滴加偶聯(lián)劑三乙基氯硅烷浸泡;四、拆卸電解池,滴加四氫呋喃,清洗,干燥,即得到三維有序大孔硅或鍺薄膜。本發(fā)明的方法無需復(fù)雜設(shè)備,操作簡便,室溫即可實(shí)現(xiàn),能耗低。用于鋰離子電池的負(fù)極材料領(lǐng)域。
聲明:
“三維有序大孔硅或鍺薄膜的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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