本發(fā)明公開了一種以CVD及HVPE成長氮化鎵的方法,其由串聯(lián)化學氣相沉積法及氫化物氣相磊晶法的二段式反應(yīng)爐,利用其第一段的高溫化學氣相沉積法成長具較好表面形態(tài)的氮化鎵奈米結(jié)構(gòu),再以該氮化鎵奈米結(jié)構(gòu)為新成核點,藉由第二段的氫化物氣相磊晶法成長厚膜的氮化鎵。如是,藉由串聯(lián)后的反應(yīng)爐有較弱的壓電場,可使量子局限史塔克效應(yīng)較小,以有效改善以往在高溫下以鋁酸鋰為基板時,其鋰原子可能會擴散進入氮化鎵間隙的問題。