本發(fā)明涉及一種可用于平面顯示的場致發(fā)射
納米材料,具體為Ag和TCNQ按1∶1化學(xué)計(jì)量比生成的Ag(TCNQ)納米線。該材料可采用真空條件下的飽和蒸氣反應(yīng)法制備獲得,生成的Ag(TCNQ)納米線(晶須)基本上垂直于基板。為了降低場發(fā)射閾值,可在晶須上用常規(guī)真空鍍膜法,再覆蓋一層納米厚度的金屬或氟化鋰薄層。
聲明:
“可用于平面顯示的場致發(fā)射納米材料” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)