本發(fā)明公開了一種集成電路封裝用的高熱導(dǎo)率氮化鋁陶瓷基板制備方法，其步驟：(1)先取無(wú)水碳酸鋰、無(wú)水氧化釔放于馬弗爐，合成鋰酸釔，再經(jīng)濕法球磨，制成漿料；(2)將球磨后漿料放入烘干機(jī)干燥，將烘干的干料經(jīng)篩選，獲得鋰酸釔粉末；(3)按質(zhì)量百分比，取鋰酸釔、氟化鈣和AlN粉體放于無(wú)水乙醇介質(zhì)中，球磨24h，制成漿料；(4)將球磨后漿料放入烘干機(jī)干燥，將烘干的干料篩選，得到混合粉末；(5)將所得的粉末再干壓、靜壓成型,得到素胚；(6)將素胚放在高溫氮?dú)鉅t，在氮?dú)夂蜌錃鈿夥罩校郎刂?450℃,燒結(jié)保溫1小時(shí)，再升溫至1735℃，燒結(jié)保溫8h，然后降溫冷卻至室溫，獲得高熱導(dǎo)率AlN陶瓷基板。該方法制備的AlN陶瓷基板熱導(dǎo)率高、結(jié)構(gòu)致密，晶粒細(xì)小，且分布均勻。