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N-CQDs鋰離子印跡傳感器及制備方法和應(yīng)用

1110   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-18 21:48:08
本發(fā)明涉及離子印跡傳感器,特指一種N?CQDs鋰離子印跡傳感器及制備方法和應(yīng)用,屬于環(huán)境材料制備技術(shù)領(lǐng)域。首先以廉價(jià)綠色的檸檬酸(CA)為碳源,利用乙二胺(EDA)進(jìn)行氮摻雜,以獲得熒光性能良好的氮摻雜碳量子點(diǎn)(N?CQDs)。然后利用將N?CQDs與離子印跡技術(shù)(IIT)結(jié)合,以苯并15冠5(B15C5)與Li+的有機(jī)絡(luò)合物作為模板離子、MAA為功能單體、EGDMA為交聯(lián)劑、ABIN為引發(fā)劑采用沉淀聚合法制備N?CQDs鋰離子印跡傳感器(N?CQDs/IIP),并用于檢測(cè)。制備的N?CQDs鋰離子印跡傳感器具有很好的穩(wěn)定性和光學(xué)性能,且具有選擇性識(shí)別對(duì)鋰離子的能力。
聲明:
“N-CQDs鋰離子印跡傳感器及制備方法和應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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