本發(fā)明屬于鐵電薄膜生長(zhǎng)方法領(lǐng)域，主要涉及同成分、摻鎂和摻鐵鈮酸鋰薄膜及其生長(zhǎng)方法。選擇(111)晶向Pt，簡(jiǎn)稱(chēng)Pt(111)，基片為襯底，選取提拉法生長(zhǎng)的同成分、摻鎂6.5mol％和摻鐵8.0wt％的鈮酸鋰單晶為靶材。利用脈沖激光沉積方法，制備高質(zhì)量的(006)外延取向同成分、摻鎂6.5mol％和摻鐵8.0wt％的鈮酸鋰薄膜。所述薄膜可應(yīng)用于制備波導(dǎo)、微腔、傳感器、探測(cè)器、電光調(diào)制器；所述方法操作簡(jiǎn)捷、易于納米級(jí)高質(zhì)量外延鈮酸鋰薄膜的生長(zhǎng)，便于微觀尺度鈮酸鋰薄膜鐵電疇調(diào)控、為制作和研究鈮酸鋰薄膜器件奠定基礎(chǔ)。