本發(fā)明涉及光電子材料技術領域，公開了一種8英寸鈮酸鋰晶片的制備方法，包括如下步驟：（1）切割及一次腐蝕：將8英寸鈮酸鋰晶體切割成晶片后放入腐蝕液中進行一次腐蝕；（2）還原黑化；（3）減薄及二次腐蝕：將還原黑化后的晶片雙面減薄，清洗干凈后再放入腐蝕液中進行二次腐蝕；（4）拋光；（5）三次腐蝕：將拋光后的晶片放入腐蝕液中進行三次腐蝕，清洗后得所述8英寸鈮酸鋰晶片。本發(fā)明采用三次腐蝕法解決了鈮酸鋰晶片內部應力變形嚴重及因此產生的晶片生產過程中容易碎裂的問題；拋光過程中采用多孔陶瓷盤吸附，解決了傳統(tǒng)的貼蠟工藝引起的TTV不易控制的問題；加工過程中不用粘合劑，不接觸有機物，晶片比較容易清洗。