本發(fā)明公開了一種基于二維膠體單層膜調(diào)控生長氧化鋅納米棒陣列的方法,該方法以二維膠體單層膜為模板,通過水熱法制備高度及親疏水性可調(diào)的氧化鋅納米棒陣列。本發(fā)明方法簡單快速,不同水熱生長時間可以得到具有不同高度的氧化鋅納米棒陣列,不同高度的氧化鋅納米棒陣列具有不同的親疏水性,實現(xiàn)了在較低溫度、較短反應時間對氧化鋅納米棒陣列的調(diào)控,且所構筑的氧化鋅納米棒陣列具有極好的穩(wěn)定性,在表面增強拉曼、生物醫(yī)用、納米光子學、電催化和新能源應用方面都具有潛在的應用價值。
聲明:
“基于二維膠體單層膜調(diào)控生長氧化鋅納米棒陣列的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
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