本發(fā)明涉及熱敏電阻技術(shù)領(lǐng)域,公開(kāi)了一種高分子正溫度系數(shù)熱敏電阻元件的制造方法及結(jié)晶裝置。所述高分子正溫度系數(shù)熱敏電阻元件的制造方法,包括:聚合物和導(dǎo)電材料通過(guò)密煉塑化和造粒形成顆粒
復(fù)合材料;進(jìn)行擠出覆膜并壓延貼覆銅箔電極以形成高分子正溫度系數(shù)熱敏電阻芯材;對(duì)芯材進(jìn)行輻照交聯(lián)并切割成
芯片;將高分子正溫度系數(shù)熱敏電阻芯片和極片進(jìn)行高溫焊接;以及對(duì)高溫焊接后的所述高分子正溫度系數(shù)熱敏電阻元件以預(yù)設(shè)恒溫溫度范圍和預(yù)設(shè)時(shí)間進(jìn)行恒溫結(jié)晶。本發(fā)明通過(guò)恒溫結(jié)晶使聚合物中可發(fā)生結(jié)晶的部分可充分結(jié)晶,聚合物材料和導(dǎo)電材料形成穩(wěn)定的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu),解決了阻值一致性較差和內(nèi)阻分散的問(wèn)題,同時(shí)提升了耐電壓性能。
聲明:
“高分子正溫度系數(shù)熱敏電阻元件的制造方法及結(jié)晶裝置” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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