通過在薄膜元件3上設(shè)置保護(hù)層, 可使上述薄膜 元件3免受銑削加工的影響, 因此可減小元件產(chǎn)生的凹陷。另外 當(dāng)通過Al2O3與TiC構(gòu)成的復(fù)合材料形成滑動(dòng)件的, 很容易對銑削的表面粗糙度進(jìn)行調(diào)節(jié)。當(dāng)相對面5中的中心線平均粗糙度設(shè)定為Rah1, 而磁盤中心線平均粗糙度設(shè)定為Rad時(shí), 則滿足下述關(guān)系 : 6nm≤Rah1+Rad≤19nm, 此時(shí)可避免吸附狀態(tài), 可降低啟動(dòng)扭矩。