本發(fā)明涉及一種無壓浸滲法制備SiC/Al電子封裝材料的工藝，按質(zhì)量配比在6～9：0.5～2：0.5～2范圍內(nèi)稱取粒徑分別為140-170μm、15-70μm、14-17μm的碳化硅顆粒，加入粘結(jié)劑、增塑劑、潤滑劑和溶劑混勻，壓制成型后預(yù)熱處理并燒結(jié)，然后在Al-Mg-Si合金熔體中浸滲。采用三種粒徑制備的三顆粒SiC/Al復(fù)合材料的熱物理性能和力學(xué)性能整體上比雙顆粒SiC/Al復(fù)合材料好，熱膨脹系數(shù)在(7.92-9.71)×10-6K-1之間變化、熱導(dǎo)率在(140-159)W/mK之間變化和抗彎強(qiáng)度300-337MPa之間變化。