大功率壓裝半導(dǎo)體模塊(1)包括層(3,4),其直接接觸Si半導(dǎo)體
芯片(2)的一個或兩個主電極,所述層由金屬基體
復(fù)合材料制造,該材料的熱膨脹系數(shù)可調(diào)節(jié)為接近或匹配Si的值。
聲明:
“壓裝功率半導(dǎo)體模塊” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)