本發(fā)明涉及一種高熱導(dǎo)金剛石摻雜SiC陶瓷的制備方法,利用流延法結(jié)合化學(xué)氣相沉積方法向金剛石多孔預(yù)制體中沉積基體碳化硅。首先配置好不同粒徑(7~50μm)的金剛石漿料進行流延實驗,然后將流延好的金剛石顆粒和聚乙烯醇縮丁醛組成的基片室溫干燥后備用。然后放置入CVI沉積爐,沉積基體碳化硅后得到的金剛石/碳化硅基片進行下一步在其表面的反復(fù)流延和沉積。最后,得到了金剛石/碳化硅
復(fù)合材料試樣。制備得到的金剛石/碳化硅復(fù)合材料為金剛石和碳化硅雙相、無其他雜質(zhì),金剛石在復(fù)合材料中分布均勻且與基體金剛石結(jié)合良好。
聲明:
“高熱導(dǎo)金剛石摻雜SiC陶瓷的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)