本發(fā)明公開了一種應(yīng)變SiGeSn鰭型光電探測(cè)器，主要解決現(xiàn)有光電探測(cè)器中材料毒性大、成本高的問題。其自下而上包括：下電極(102)、吸收區(qū)(103)、上電極(104)和應(yīng)力薄膜(105)；吸收區(qū)(103)采用空隙與SiGeSn復(fù)合材料相交錯(cuò)構(gòu)成的鰭型結(jié)構(gòu)，該SiGeSn復(fù)合材料在襯底(101)上外延不同組分的Ge和Sn獲得，其通式為Si1-x-yGeySnx，其中0≤x≤0.25，0≤y≤0.75；應(yīng)力薄膜(105)包裹在吸收區(qū)(103)的側(cè)面和上電極(104)表面。本發(fā)明通過應(yīng)力薄膜(105)在SiGeSn復(fù)合材料中產(chǎn)生的應(yīng)變改變吸收區(qū)(103)帶隙，提高了探測(cè)器的光譜響應(yīng)范圍。