本發(fā)明涉及異質(zhì)結(jié)制備技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，涉及一種復合材料異質(zhì)結(jié)的制備方法。該制備方法包括以下步驟：在襯底上鍍掩模，在掩模上甩預設(shè)厚度的HSQ Fox?系列電子束光刻膠，經(jīng)曝光顯影后在掩模上形成光刻膠三維圖形。在掩模及光刻膠三維圖形上甩正性電子束光刻膠，經(jīng)電子束曝光顯影后在掩模上形成凹槽，刻蝕除去凹槽中的掩模，除去正性電子束光刻膠。利用分子束外延技術(shù)在所述凹槽中的襯底上生長第一相材料，使光刻膠三維圖形相對第二相材料束流方向傾斜預設(shè)角度，使光刻膠三維圖形的投影部分遮擋部分第一相材料，在未遮擋部分原位生長第二相材料以形成異質(zhì)結(jié)；第一相材料為半導體納米線。該方法能夠進行選區(qū)生長半導體納米線。