一種金屬基底上生長(zhǎng)的Ni3S2包覆的MMoO4(M=Ni,Co或Mn)
復(fù)合材料及其應(yīng)用。其是將M鹽(M=Ni,Co或Mn),溶于去離子水中,再加入鉬源,水熱晶化干燥焙燒后在金屬基底上生長(zhǎng)有MMoO4納米棒陣列;再將鎳源溶于去離子水中,加入硫源,水熱晶化干燥后得到金屬基底上生長(zhǎng)的Ni3S2包覆的MMoO4納米棒陣列復(fù)合材料。M鹽為Ni(NO3)2、Ni(CH3COO)2、NiCl2、NiSO4、Co(NO3)2、Co(CH3COO)2、CoCl2、CoSO4、Mn(NO3)2、Mn(CH3COO)2、MnCl2或MnSO4。該材料具有較高的比電容,良好的循環(huán)穩(wěn)定性和倍率性能,它能夠在超級(jí)電容器領(lǐng)域中得到更加廣泛的應(yīng)用。
聲明:
“金屬基底上原位生長(zhǎng)的Ni3S2包覆MMoO4復(fù)合材料及其應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)