本發(fā)明公開(kāi)了一種協(xié)同促進(jìn)高容量高贗電容儲(chǔ)鈉的VS2/S復(fù)合材料的制備方法，包括以下步驟：步驟一、稱取1.6～3g的偏釩酸銨緩慢加入到45ml水和9ml氨水混合液中，室溫下磁力攪拌至溶解，得到溶液A；步驟二、將6～9.6g硫代乙酰胺，加入到溶液A中攪拌均勻，轉(zhuǎn)移到75ml聚四氟乙烯內(nèi)襯中，放入烘箱中進(jìn)行水熱反應(yīng)，反應(yīng)溫度為160～180℃，反應(yīng)時(shí)間為24h；步驟三、將水熱后的產(chǎn)物自然冷卻到室溫后，抽濾洗劑，將抽濾所得產(chǎn)物冷凍干燥，得到VS2/S復(fù)合材料；本發(fā)明制備的VS2/S復(fù)合微米花狀結(jié)構(gòu)，花狀結(jié)構(gòu)分布均勻，大小均一，組裝單體空間大，該VS2/S復(fù)合結(jié)構(gòu)具有快速反應(yīng)動(dòng)力學(xué)和超高的容量，實(shí)現(xiàn)高容量高贗電容鈉電負(fù)極存儲(chǔ)。