一種包含低損傷且定向排列的SiC納米線的復(fù)合材料薄片的制備方法，涉及一種SiC納米線的薄片的制備方法。本發(fā)明為解決目前層狀復(fù)合材料的制備過程中SiC納米線斷裂嚴(yán)重、SiC納米線因比表面積高而導(dǎo)致SiC納米線極易團(tuán)聚，難以在漿料中均勻分散的問題。方法：一、稱料；二、SiC納米線預(yù)分散；三、SiC納米線低損傷球磨分散；四、除氣處理；五、流延成型；六、干燥。本發(fā)明方法給出了一種制備低損傷、定向排列的SiC納米線的薄片的方法，該方法工藝簡單，SiC納米線沿流延成型方向排列，能夠解決SiC納米線極易團(tuán)聚的問題，對SiC納米線損傷較小。本發(fā)明適用于制備SiC納米線薄片。