本發(fā)明公開(kāi)了一種MWCNT/CuInS2(MWCNT為多壁
碳納米管)三元硫?qū)侔雽?dǎo)體納米粒子
復(fù)合材料的制備方法,該材料是在多壁碳納米管上修飾CuInS2半導(dǎo)體納米粒子,所述半導(dǎo)體納米粒子通過(guò)溶劑熱法原位沉積在碳納米管上。經(jīng)上述方法制備出來(lái)的納米復(fù)合材料具有較好的非線性光學(xué)性能,是一種良好的非線性光學(xué)材料。另外,本發(fā)明的制備方法無(wú)需事先對(duì)碳納米管進(jìn)行氧化處理,使得碳納米管的結(jié)構(gòu)和性能的完整性得到了很好的保護(hù),也不必在碳納米管表面預(yù)修飾聚合物或表面活性劑,并且還是首次將半導(dǎo)體CuInS2納米粒子修飾在碳納米管上,具有操作簡(jiǎn)單、原料成本低廉和易得等諸多優(yōu)點(diǎn),適合工業(yè)化大生產(chǎn)與實(shí)際應(yīng)用。
聲明:
“碳納米管/三元硫?qū)侔雽?dǎo)體納米復(fù)合材料及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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