本發(fā)明提供了一種鋁硅/鋁碳化硅
復(fù)合材料及其制備方法、電子封裝裝置。該鋁硅/鋁碳化硅復(fù)合材料包括激光焊接層和鋁碳化硅層,激光焊接層位于鋁碳化硅層的上表層;激光焊接層為經(jīng)噴射沉積形成的鋁硅材料。本發(fā)明提供的復(fù)合材料通過在鋁碳化硅材料表層同步集成具有良好激光焊接特性的噴射沉積鋁硅層。由于噴射沉積得到的鋁硅材料層氧含量≤1000×10-6,硅相粒徑小且彼此深度連接形成網(wǎng)狀,提高了所得復(fù)合材料的激光焊接焊縫的穩(wěn)定性,使其能滿足微電路組件外殼材料的要求。
聲明:
“鋁硅/鋁碳化硅復(fù)合材料及其制備方法、電子封裝裝置” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)