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基于N,S-CDs/CuPc復(fù)合材料的分子印跡光電化學(xué)傳感器的制備方法和應(yīng)用

1094   編輯:管理員   來(lái)源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-18 15:56:01
本發(fā)明公開(kāi)了一種基于N,S?CDs/CuPc復(fù)合材料的分子印跡光電化學(xué)傳感器的制備方法和在赭曲霉毒素A(OTA)檢測(cè)方面的應(yīng)用。本發(fā)明通過(guò)氮和硫共摻雜和非共價(jià)功能化方法的協(xié)同效應(yīng),正確調(diào)整碳點(diǎn)的能級(jí),優(yōu)化緊密的界面接觸和延長(zhǎng)光吸收范圍和增強(qiáng)電荷轉(zhuǎn)移效率來(lái)制備得到N,S?CDs/CuPc復(fù)合材料,并結(jié)合分子印跡技術(shù),成功制備了分子印跡光電化學(xué)傳感器。本發(fā)明制備的傳感器以N,S?CDs和CuPc形成的復(fù)合材料作為光電轉(zhuǎn)換層,通過(guò)表面修飾含有毒素識(shí)別位點(diǎn)的分子印跡膜來(lái)實(shí)現(xiàn)OTA的檢測(cè)。該傳感器具有檢測(cè)范圍寬,選擇性好,靈敏度高,檢測(cè)限高達(dá)0.51pg·mL?1;同時(shí)響應(yīng)穩(wěn)定,具有良好的重現(xiàn)性。
聲明:
“基于N,S-CDs/CuPc復(fù)合材料的分子印跡光電化學(xué)傳感器的制備方法和應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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