本發(fā)明公開了一種高溫氧化環(huán)境陶瓷基復(fù)合材料任意加卸載應(yīng)力應(yīng)變曲線預(yù)測方法，該方法能有效模擬單向SiC/SiC復(fù)合材料在高溫氧化環(huán)境下任意加卸載應(yīng)力應(yīng)變曲線，該方法考慮了高溫氧化環(huán)境下基體裂紋密度和寬度、界面氧化消耗長度、纖維拉伸強(qiáng)度對加載時界面滑移區(qū)長度及分布對復(fù)合材料應(yīng)力應(yīng)變曲線的影響；本發(fā)明可以為單向SiC/SiC復(fù)合材料在高溫氧化環(huán)境下譜載荷加載下的疲勞壽命的計算提供理論基礎(chǔ)；本發(fā)明克服了單向陶瓷基復(fù)合材料任意加卸載氧化試驗(yàn)測試成本高，消耗人力物力大的缺點(diǎn)，可節(jié)省大量的人力物力。