3SiC2相增韌碳化硅陶瓷基復(fù)合材料的制備方法,復(fù)合材料"> 3SiC2相增韌碳化硅陶瓷基復(fù)合材料的制備方法,本發(fā)明屬于陶瓷基復(fù)合材料制備技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種原位生成Ti3SiC2相增韌碳化硅陶瓷基復(fù)合材料的制備方法。該方法將TiC粉、粘結(jié)樹脂和有機(jī)溶劑配制成料漿,與纖維制備成預(yù)浸料后,通過熱壓、炭化得到纖維/C?TiC多孔體,再將Si粉包裹于多孔體表面,利用高溫熔融硅滲透技術(shù)在生成碳化硅基體時(shí)原位生成Ti3SiC2。該方法不僅消除基體內(nèi)殘余硅含量,減弱了硅對(duì)復(fù)合材料力學(xué)性能的不利影響;同時(shí),由于MAX相材料自身的層狀結(jié)構(gòu),在陶瓷基復(fù)合材料承受載荷時(shí),裂紋擴(kuò)展到">

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原位生成Ti3SiC2相增韌碳化硅陶瓷基復(fù)合材料的制備方法

999   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-18 15:40:02
本發(fā)明屬于陶瓷基復(fù)合材料制備技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種原位生成Ti3SiC2相增韌碳化硅陶瓷基復(fù)合材料的制備方法。該方法將TiC粉、粘結(jié)樹脂和有機(jī)溶劑配制成料漿,與纖維制備成預(yù)浸料后,通過熱壓、炭化得到纖維/C?TiC多孔體,再將Si粉包裹于多孔體表面,利用高溫熔融硅滲透技術(shù)在生成碳化硅基體時(shí)原位生成Ti3SiC2。該方法不僅消除基體內(nèi)殘余硅含量,減弱了硅對(duì)復(fù)合材料力學(xué)性能的不利影響;同時(shí),由于MAX相材料自身的層狀結(jié)構(gòu),在陶瓷基復(fù)合材料承受載荷時(shí),裂紋擴(kuò)展到層界面處受到阻礙而發(fā)生偏折或鈍化,減弱了裂紋尖端的應(yīng)力集中,最終實(shí)現(xiàn)對(duì)陶瓷基復(fù)合材料的增韌。
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