本發(fā)明涉及一種去除SiC_f/SiC復合材料殘余硅的方法，包括以下步驟：(1)將通過熔滲工藝制備的具有一定殘余硅含量的SiC_f/SiC復合材料在室溫下浸沒于氫氟酸與一種氧化性強酸的混合溶液中；(2)將經(jīng)酸溶液浸漬后的復合材料超聲處理，然后真空干燥處理；(3)將干燥處理后的復合材料真空浸漬于液態(tài)聚碳硅烷中，然后在1000～1500℃下高溫熱處理；(4)通過化學氣相沉積工藝在高溫熱處理后的復合材料表面制備一層厚度為10～200μm的碳化硅封閉層。該方法可將熔滲工藝制備的SiC_f/SiC復合材料中的殘余硅質(zhì)量分數(shù)降低至0.05％以內(nèi)，提高了復合材料在高溫環(huán)境下的抗蠕變性，同時提升了復合材料的使用溫度和抗氧化性，具有良好的應(yīng)用價值。