本發(fā)明公開了聚吡咯包覆Ni?Co?S納米針陣列
復(fù)合材料,以乙酸鎳、乙酸鈷、尿素、硫脲為原料,制備NF/NiCo
2S
4納米針陣列材料,再以聚吡咯為導(dǎo)電聚合物,通過(guò)黏結(jié)劑和固化劑,制得聚吡咯包覆Ni?Co?S納米針陣列復(fù)合材料,其中,納米針狀結(jié)構(gòu)具有殼?核結(jié)構(gòu),核結(jié)構(gòu)為NiCo
2S
4,殼結(jié)構(gòu)為聚吡咯。其制備方法包括以下步驟:1)NF/NiCo
2O
4納米針陣列材料的制備;2)NF/NiCo
2S
4納米針陣列材料的制備;3)聚吡咯包覆Ni?Co?S納米針陣列復(fù)合材料的制備。作為超級(jí)電容器電極材料的應(yīng)用,窗口電壓為0?0.5V,在放電電流密度為1A/g時(shí),比電容為1800?1900F/g。泡沫鎳載體表面生長(zhǎng)的納米針陣列結(jié)構(gòu)規(guī)整有序,比表面積大,利于電子的傳輸;采用直接滴覆的方法實(shí)現(xiàn)導(dǎo)電聚合物的包覆,有效提高
電化學(xué)性能。
聲明:
“聚吡咯包覆Ni-Co-S納米針陣列復(fù)合材料及其制備方法和應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)