本發(fā)明描述了電磁干擾(EMI)屏蔽
復合材料及其制備和使用方法。所述復合材料包含分布在低介電損耗基質(zhì)材料中的高負載水平陶瓷顆粒,該低介電損耗基質(zhì)材料具有在約0.0001至約0.005范圍內(nèi)的介電損耗角正切。在一種情況下,該復合材料包含分布在有機硅中的CuO顆粒。所述復合材料在高頻范圍內(nèi)表現(xiàn)出介電吸收體特性。
聲明:
“用于電磁干擾(EMI)應用的高介電損耗復合材料” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)