本發(fā)明提出一種高HfC含量C/HfC-SiC
復(fù)合材料的制備方法,采用真空壓力浸漬在C/C復(fù)合材料預(yù)制體中引入硅鉿合金粉和碳先驅(qū)體,真空高溫裂解后結(jié)合反應(yīng)熔滲法,使熔融硅鉿合金與碳反應(yīng),原位生成SiC和HfC,得到的復(fù)合材料基體中HfC的含量較高,具有良好的力學(xué)性能和超高溫抗氧化性能。
聲明:
“高HfC含量C/HfC-SiC復(fù)合材料的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)