本發(fā)明提供了一種二維材料場(chǎng)效應(yīng)晶體管失效樣品的制備方法，屬于晶體管失效領(lǐng)域，包括：(1)在二維材料場(chǎng)效應(yīng)晶體管的電極上施加正壓，采用I?V sweep模式測(cè)量得到電流突變(0.5～1.5)倍時(shí)的電壓P1；所述二維材料場(chǎng)效應(yīng)晶體管包括電極、柵介質(zhì)層、溝道和襯底；(2)對(duì)所述步驟(1)的二維材料場(chǎng)效應(yīng)晶體管進(jìn)行恒壓擊穿，得到擊穿后樣品；所述恒壓擊穿的電壓為P1－(0.6～0.8)V。本發(fā)明控制擊穿時(shí)的電壓，模擬并加速二維材料場(chǎng)效應(yīng)晶體管擊穿的過程，控制了擊穿的程度避免二維材料場(chǎng)效應(yīng)晶體管中的二維材料被完全燒毀，與實(shí)際失效樣品更接近，通過觀察擊穿后樣品的形貌更有利于晶體管失效過程及機(jī)理的研究。