本發(fā)明提供一種用于確定導電型碳化硅晶片的硅面和碳面的方法,其包括如下步驟:(1)通過SKPFM測定導電型碳化硅晶片的第一表面和與所述第一表面相對的第二表面分別與導電針尖的接觸電勢差,獲得第一表面的接觸電勢差和第二表面的接觸電勢差;(2)將所述第一表面的接觸電勢差和第二表面的接觸電勢差進行比較;其中,如果所述第一表面的接觸電勢差大于第二表面的接觸電勢差,則所述第一表面為碳面,所述第二表面為硅面;如果所述第一表面的接觸電勢差小于第二表面的接觸電勢差,則所述第一表面為硅面,所述第二表面為碳面。本發(fā)明的方法是一種高效、無損、高可靠性的用于確定SiC晶片的Si面和C面的方法。
聲明:
“用于確定導電型碳化硅晶片的硅面和碳面的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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