α-IGZO薄膜傳感陣列的影像傳感器及其制備方法，屬于半導(dǎo)體器件及其制備方法技術(shù)領(lǐng)域，包括呈交叉排列的一組柵極線和一組數(shù)據(jù)線、以及由所述柵極線和數(shù)據(jù)線所界定的呈陣列狀排布的像素單元，所述像素單元包括一個薄膜晶體管器件和一個光電二極管器件，所述薄膜晶體管器件，包括相對形成溝道的源極和漏極，所述源極和漏極之間設(shè)置有α-IGZO薄膜島，所述漏極與數(shù)據(jù)線連接。通過用α-IGZOTFT制成α-Si:HPIN傳感器，應(yīng)用于實時X射線醫(yī)療影像（熒光透視）系統(tǒng)和/或無損測試系統(tǒng)，進而改進系統(tǒng)性能。使用α-IGZOTFT后的遷移率要比目前商用非晶硅TFT的高出10~15倍,具有較低的截止電流，其信噪比也降低了約30%。大幅提高了實時醫(yī)療X射線影像品質(zhì)。