本發(fā)明涉及一種釹摻雜二維層狀二硒化鉬薄膜材料的制備方法，包括以下步驟：首先通過高純?cè)香f、硒、釹的化學(xué)氣相輸運(yùn)反應(yīng)，制得釹摻雜二硒化鉬的多晶體；接著通過壓制及燒結(jié)，制得釹摻雜二硒化鉬的陶瓷靶；將陶瓷靶和清洗過的襯底置入真空腔，通過脈沖激光轟擊所制備的陶瓷靶，控制頻率、時(shí)間、功率等因素，獲得不同層數(shù)、形貌均勻、面積連續(xù)的超薄釹摻雜二硒化鉬薄膜光電材料。所制備的材料在近紅外區(qū)域具有發(fā)射光譜，可被用于構(gòu)筑原子級(jí)超薄的光電子器件，如電致發(fā)光器件、平板波導(dǎo)、探測(cè)器等。