本發(fā)明通過實施例公開了一種表面處理方法、裝置、存儲介質、控制模組及器件;其中的處理方法在分析判斷凸點缺陷BD形成機理的基礎上,基于SOI結構特點改進了制程步驟,使得與表面處理有關的若干技術指標得以改善;由于引入了第二臭氧處置O3步驟和/或第三紫外光固化UVC步驟,一方面改善了工件表面的化學成分和穩(wěn)定性;另一方面也改善了工件表面的光潔度和其他物理特性,使得相關介質層的機械特性更利于整體良率的達成;此外,本發(fā)明實施例還給出了改進相關裝置、存儲介質、控制模組及器件的技術方案,促進了SOI工藝相關的表面處理制程和產品的升級。
聲明:
“表面處理方法、裝置、存儲介質、控制模組及器件” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)