本發(fā)明公開(kāi)了一種MBE外延片生產(chǎn)方法，包括如下步驟：步驟S1、襯底處理、步驟S2、生長(zhǎng)介質(zhì)層、步驟S3、熱化學(xué)處理、步驟S4、生長(zhǎng)氮化物潤(rùn)濕層、步驟S5、依次生長(zhǎng)AlGaN緩沖層、n?GaN層、InGaN/GaN MQWs量子阱層和p?GaN層、步驟S6、檢測(cè)合格后，包裝。本發(fā)明公開(kāi)的MBE外延片生產(chǎn)方法工藝簡(jiǎn)單，操作控制方便，耗能低，對(duì)設(shè)備依賴性小，適合工業(yè)化大規(guī)模生產(chǎn)；通過(guò)該生產(chǎn)方法制成的MBE外延片表面質(zhì)量好、缺陷少，襯底易去除，電化學(xué)性能優(yōu)異。