一種在CMP(化學機械磨光)機上優(yōu)化半導體晶片的CMP處理的方法。優(yōu)化方法包括在一個CMP機上磨光一個測試系列的半導體晶片的步驟。在CMP處理期間,利用連接于磨光機上的薄膜厚度檢測器來測量相應晶片上接近于中心的第一點上的薄膜厚度。還要測量接近于相應晶片的外部邊緣處第二點上的薄膜厚度。根據(jù)在第一點和第二點上測量的處理中的晶片的薄膜厚度,優(yōu)化處理確定一個描述與一組處理變量相關的清除率和清除均勻度的磨光輪廓。處理變量包括磨光處理的不同的CMP機設定,諸如施加于晶片上的向下作用力的大小。從而,磨光輪廓被隨后用于磨光產(chǎn)品晶片。對于每一個產(chǎn)品晶片,通過利用薄膜厚度檢測器測量晶片中心點和外部邊緣點的薄膜厚度,來確定其相應的清除率和清除均勻度?；谶@些測量,依照清除率和清除均勻度的測量結果來調(diào)整該組處理變量,在磨光每個相應的產(chǎn)品晶片時,優(yōu)化產(chǎn)品晶片的CMP處理。