提供一種CMP方法。根據(jù)該CMP方法,在兩個或更多層中形成的層間絕緣層被刻蝕以形成溝槽,并且測量該層間絕緣層的兩個或更多層的厚度。在溝槽中順序形成阻擋金屬層和金屬層。去除金屬層的一部分,并且去除部分阻擋金屬層和層間絕緣層。之后,再次測量該層間絕緣層的兩個或更多層的厚度。
聲明:
“化學(xué)機械拋光以及利用其制造半導(dǎo)體器件的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)