本發(fā)明涉及一種硼10?LBO晶體的生長(zhǎng)方法,屬于晶體制備的技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明以
碳酸鋰和硼?10酸為原料,三氧化鉬和三氧化鎢為助熔劑,在晶體生長(zhǎng)爐中加熱熔解后,加入籽晶,經(jīng)過降溫生長(zhǎng)獲得硼10?LBO晶體。本發(fā)明解決了硼10?LBO晶體容易開裂的問題,原因是采用氧化鉬?氧化鎢為新型的助熔劑時(shí),熔體粘度較小,便于物料流動(dòng)和傳質(zhì),生長(zhǎng)出高質(zhì)量的硼10?LBO晶體且不易開裂。使用本發(fā)明的晶體生長(zhǎng)方法獲得的硼10?LBO晶體,可以作為中子探測(cè)用晶體材料,解決目前中子散射探測(cè)器的需求。
聲明:
“硼10-LBO晶體的生長(zhǎng)方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)