本發(fā)明涉及一種利用金屬氫化物直接還原制備多孔硅的方法,本發(fā)明所述的一種多孔硅的制備技術(shù)是以金屬氫化物為還原劑將二氧化硅還原為多孔硅的技術(shù),該技術(shù)可以在較低的溫度下反應(yīng)(最低可至350℃)生成高純度的多孔硅,同時可以通過調(diào)控升溫速率來控制多孔硅的比表面積和形貌。本發(fā)明提供了一種工藝簡單、反應(yīng)可控、產(chǎn)率高的制備多孔硅新方法;所用的二氧化硅原材料來源廣泛,成本低,高效,綠色環(huán)保,易于工業(yè)化實施;本發(fā)明方法實現(xiàn)了多孔硅的可控制備,通過調(diào)整升溫速率來控制氣體的產(chǎn)生速率,從而達到調(diào)控多孔硅的形貌的目的。本發(fā)明提供的多孔硅材料可廣泛應(yīng)用于鋰離子電池、光致發(fā)光、太陽能、光催化、靶向載藥和催化劑載體等諸多領(lǐng)域。
聲明:
“基于金屬氫化物還原制備多孔硅的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)