本申請公開了一種復合硅基材料及其制備方法和應(yīng)用。本申請復合硅基材料包括硅基本體和導電碳層,硅基本體與導電碳層結(jié)合且兩者之間形成有緩沖空間。本申請復合硅基材料在導電碳層與硅基本體表面之間設(shè)置的緩沖空間能夠有效的緩解復合硅基材料在儲鋰過程中的形變效應(yīng),提高了復合硅基材料的循環(huán)性能,容量衰減低;而且導電碳層有效提高復合硅基材料的導電性能和倍率性能。另外,復合硅基材料制備方法能夠保證復合硅基材料性能穩(wěn)定,效率高,節(jié)約了生產(chǎn)成本。
聲明:
“復合硅基材料及其制備方法和應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)