一種二硫化鉬薄膜材料的制備方法，以MoS2靶材為原料，在氬氣和硫化氫混合氣體環(huán)境中，通過磁控濺射法在基底上制備MoS2薄膜，二硫化鉬薄膜材料的厚度為0.1-10.0μm。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是：通過在磁控濺射技術(shù)使用Ar氣-H2S混合氣和基底加熱原位退火方式，可以保證MoS2薄膜實(shí)現(xiàn)均勻沉積并且S/Mo原子比保持在2∶1，增加濺射時(shí)間可以有效增加厚度，提高M(jìn)oS2納米薄膜產(chǎn)量；該方法簡(jiǎn)單快速，制備工藝簡(jiǎn)單，厚度可控，方法薄膜便于控制，為其在光電池、鋰電池、固體潤(rùn)滑劑和其他方面的廣泛應(yīng)用提供了可能。