本發(fā)明涉及電子領(lǐng)域，尤其涉及陰極雜化修飾層以及有機(jī)電致發(fā)光器件和方法。在HML摻雜層中產(chǎn)生的陰離子可以填充到Bphen的本征電子陷阱，增強(qiáng)電子的注入；分解產(chǎn)生的鋰離子Li⁺會向有機(jī)層中擴(kuò)散，形成一種間隙態(tài)，導(dǎo)致發(fā)光層中的激子猝滅；HML結(jié)構(gòu)中的MoO₃層可以去除金屬電極Al與有機(jī)薄膜界面處的化學(xué)反應(yīng)產(chǎn)生的間隙態(tài)，從而使器件具有更多的電子和空穴在發(fā)光層中復(fù)合。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，器件的最大電流效率和最大功率效率分別為4.28cd/A和2.19lm/W，相比參考器件提高了25.5％和23.7％。