本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體氮化碳薄膜的制備及轉(zhuǎn)移方法,以三聚氰胺作為前驅(qū)體,通過化學(xué)氣相沉積工藝,在多種基底材料表面制備半導(dǎo)體氮化碳薄膜或氮化碳/碳復(fù)合薄膜,其制備工藝簡單,原料成本低,制備的氮化碳薄膜容易轉(zhuǎn)移到任意基底材料表面;所制備的薄膜連續(xù)性好,厚度均勻,在光電探測(cè)器中顯示出極快的響應(yīng)速度,在電催化析氫反應(yīng)中顯示出較高催化活性;此外,這種氮化碳薄膜可用于構(gòu)建柔性半導(dǎo)體器件(如發(fā)光二極管,
太陽能電池),
儲(chǔ)能器件(如鋰離子電池,
鈉離子電池,燃料電池)和催化電極等。
聲明:
“半導(dǎo)體氮化碳薄膜的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)