本發(fā)明涉及一種高純度、高密度CuS網(wǎng)絡(luò)狀納米結(jié)構(gòu)的制備方法,屬于材料制備技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明采用雙溫區(qū)真空管式爐,以硫粉為蒸發(fā)源,在真空環(huán)境中、在載氣保護(hù)下,通過低溫?zé)嵴舭l(fā)的方法,在Cu箔上合成和生長CuS網(wǎng)絡(luò)狀納米結(jié)構(gòu),包括CuS針狀晶、墻狀晶和薄片狀晶等的網(wǎng)絡(luò)狀納米結(jié)構(gòu)。該方法具有制備嚴(yán)格可控、設(shè)備和工藝簡單、產(chǎn)品收率高、產(chǎn)量大、密度高、純度高、成本低廉等優(yōu)點(diǎn),且無需使用任何催化劑。這類納米結(jié)構(gòu)材料可望在光催化劑、
太陽能電池、鋰離子電池等方面獲得廣泛應(yīng)用。
聲明:
“高純度高密度CuS網(wǎng)絡(luò)狀納米結(jié)構(gòu)的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)