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空心結(jié)構(gòu)的多層硅-碳復(fù)合電極材料制備方法

682   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-19 00:24:29
本發(fā)明涉及一種空心結(jié)構(gòu)的多層硅?碳復(fù)合電極材料制備方法,通過有機(jī)硅水解在鎂表面沉積二氧化硅、鎂和氯化鋁低溫?zé)徇€原、原位生長(zhǎng)MOF材料、高溫碳化、再有機(jī)硅水解沉積二氧化硅、再鎂和氯化鋁低溫?zé)徇€原、再原位生長(zhǎng)MOF材料、再高溫碳化,獲得空心結(jié)構(gòu)的多層硅?碳復(fù)合電極材料。硅?碳復(fù)合電極材料的層數(shù)為2~5;硅與碳的摩爾比為(0.2~5):1,且每層硅與碳的摩爾比是不一樣的,且硅與碳的摩爾比從最里層到最外層逐漸減小。該硅?碳復(fù)合電極材料具有很好的電化學(xué)性能,在鋰離子電池領(lǐng)域具有很好的應(yīng)用前景。
聲明:
“空心結(jié)構(gòu)的多層硅-碳復(fù)合電極材料制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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