本發(fā)明涉及聲學(xué)濾波器技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種用于聲學(xué)濾波器的異質(zhì)單晶薄膜的制備方法。該異質(zhì)單晶薄膜的制備方法包括以下步驟：提供異質(zhì)薄膜結(jié)構(gòu)；該異質(zhì)薄膜結(jié)構(gòu)包括壓電薄膜；對該異質(zhì)薄膜結(jié)構(gòu)進(jìn)行后退火處理；該后退火溫度范圍為300?800攝氏度；該后退火的氛圍內(nèi)含有與該壓電薄膜對應(yīng)的元素材料。從而能夠在實(shí)現(xiàn)提高鍵合強(qiáng)度，恢復(fù)晶格缺陷的同時，還能夠有效抑制壓電薄膜中鋰元素和氧元素等的外釋問題，提高異質(zhì)單晶薄膜的質(zhì)量。