本發(fā)明屬于離子截留的技術(shù)領(lǐng)域,公開了一種電泳沉積法制備的二維MXene膜在離子截留中的應用。所述二維MXene膜在離子截留中的應用,所述二維MXene膜是利用電泳沉積法得到。所述的應用具體是將二維MXene膜置于離子截留裝置中,膜的一側(cè)加入離子化合物溶液,膜的另一側(cè)加入水,二維MXene膜實現(xiàn)離子截留。所述離子化合物溶液的濃度為0.01~2mol/L;所述離子化合物為氯化鈉、氯化鋰、氯化鉀、氯化鎂、氯化鋁、氯化銅、硫酸鈉、硫酸鋰、硫酸鉀、硫酸鋁中一種以上。本發(fā)明將電泳沉積法得到的二維MXene膜用于離子攔截時,對離子具有很高的攔截效果;而且膜的密封性好,不易脫落,容易組裝。
聲明:
“電泳沉積法制備的二維MXene膜在離子截留中的應用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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