本發(fā)明公開了一種內(nèi)嵌雙層膜的LNOI晶片及其制備方法,該晶體的整體結(jié)構(gòu)自基底向上層依序包括:硅或鈮酸鋰基底(1)、二氧化硅緩沖層(2)、金電極層(3)、半導(dǎo)體有機高分子層(4)和鈮酸鋰薄膜層(5),所述金電極層(3)和所述半導(dǎo)體有機高分子層(4)為內(nèi)嵌雙層膜。與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明極大地降低了波導(dǎo)的損耗,波導(dǎo)性能優(yōu)良;使LNOI材料形成電流回路起到了很重要的便利作用,顯著提高了LNOI材料形成光學(xué)或微電子學(xué)器件的可行性;本發(fā)明將直接推動基于LNOI平臺的集成光路和器件向?qū)嵱没较蜻~進,可為下一代光電混合集成
芯片的研發(fā)提供支撐。
聲明:
“內(nèi)嵌雙層膜的LNOI晶片及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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