本發(fā)明屬于全固態(tài)鋰電池技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種降低氧化物無機固態(tài)電解質(zhì)晶界電阻的方法。先制備氧化物無機固態(tài)電解質(zhì)二維納米片分散液；再將分散液中的氧化物無機固態(tài)電解質(zhì)二維納米片堆疊在基膜上形成層狀框架；再將g?C3N4的前驅(qū)體溶液引入層狀框架中；最后在惰性氛圍下煅燒處理，得到原位生長g?C3N4修飾層的層狀氧化物無機固態(tài)電解質(zhì)膜。本發(fā)明提供了一種降低氧化物無機固態(tài)電解質(zhì)晶界電阻的方法，所用的g?C3N4晶界修飾無需高溫?zé)Y(jié)，同時修飾晶界后，獲得的薄型層狀無機固態(tài)電解質(zhì)具有良好的室溫離子電導(dǎo)率和高的機械強度，并且能很好抑制鋰枝晶生長。電解質(zhì)所組裝的電池具有優(yōu)異的循環(huán)壽命及高的安全性，降低電池的容量衰減，增加了電池的壽命。