本發(fā)明公開了一種單面拋光超薄晶圓平坦化加工方法，包括如下步驟：首先使用噴砂機(jī)構(gòu)和具備減震功能的晶片吸附載臺(tái)，噴砂機(jī)構(gòu)以一定的噴射角度將磨料往晶片表面往復(fù)、旋轉(zhuǎn)噴射轟擊，直到晶片表面均勻完整的粗化。本發(fā)明通過磨砂機(jī)構(gòu)對(duì)晶片的表面進(jìn)行打磨，直到晶片的表面均勻完整的粗化，通過減震平臺(tái)避免砂粒噴射在晶片表面上瞬間力量過大導(dǎo)致晶片破碎，用以實(shí)現(xiàn)厚度＜350um以下的超薄超平坦單面拋光基板備置，解決了傳統(tǒng)的單面拋光工藝無(wú)法達(dá)到鉭酸鋰(LiTaO₃；LT)/鈮酸鋰(LiNBO₃；LN)的平坦度要求，即使習(xí)知的雙拋工藝具備較好的平坦化制程能力，但也受限晶體本身為透明的特性，而無(wú)法直接將拋光后的晶片應(yīng)用于后段制程上的問題。