本申請(qǐng)公開(kāi)了一種利用熔鹽法制備氟化鑭單晶、稀土摻雜氟化鑭單晶的方法。制備氟化鑭單晶或稀土摻雜氟化鑭單晶的方法，均采用氟化鋰為助熔劑；將含有氟化鑭和助熔劑氟化鋰的物料或含有氟化鑭、助熔劑氟化鋰和稀土源的物料置于熔鹽提拉爐中，在含有四氟化碳和惰性氣體的保護(hù)氣氛中生長(zhǎng)得到所述氟化鑭單晶或稀土摻雜氟化鑭單晶。采用熔鹽法生長(zhǎng)晶體，能夠降低單晶的生長(zhǎng)溫度，可以降到1100℃以下，極大的減少生長(zhǎng)過(guò)程中熔體的揮發(fā)；熔鹽爐設(shè)備簡(jiǎn)單，也比較便宜，可以生長(zhǎng)出大尺寸的晶體，從而可以大大降低單晶的成本。單晶具有廣泛的應(yīng)用，采用熔鹽法有利于實(shí)現(xiàn)其廣泛應(yīng)用的價(jià)值。