本發(fā)明公開(kāi)了一種電場(chǎng)傳感器探頭的制作工藝，其技術(shù)方案要點(diǎn)是，具體包括以下步驟：S1、切片：切片時(shí)選擇電場(chǎng)方向平行于鈮酸鋰晶體z軸方向的X切Z傳鈮酸鋰晶體制備為襯底切片；S2、蒸發(fā)：在所述S1中的襯底切片上采用化學(xué)氣相沉積技術(shù)制備緩沖層鈦?zhàn)鳛檠谀?；S3、光導(dǎo)波刻；S4、PECVD：進(jìn)行鈦擴(kuò)散，將鈮酸鋰晶體放在濕氧的環(huán)境中進(jìn)行鈦擴(kuò)散以抑制LiO2外擴(kuò)發(fā)生，抑制LiNb3O8晶相生成，降低晶體光折變的敏感性；S5、光刻電極；S6、電鍍；S7、磨切；本電場(chǎng)傳感器探頭的制作工藝具有生產(chǎn)流程短，生產(chǎn)出的電場(chǎng)傳感器探頭具有可測(cè)動(dòng)態(tài)范圍大、響應(yīng)速度快、頻率范圍寬、對(duì)電場(chǎng)畸變小、測(cè)量精度高、與一次設(shè)備無(wú)電氣連接、全絕緣等特點(diǎn)。